自旋转移矩对基于电压矩的磁随机存取存储器写入错误率的影响
介观与纳米尺度物理
2019-06-04 v1
摘要
利用宏自旋模型，从理论上分析了自旋转移矩（STT）对基于电压矩的磁随机存取存储器写入错误率的影响。在电压脉冲期间，STT 会根据初始磁化方向协助或抑制磁化的进动运动。通过平衡 STT 与外场矩，推导出电流密度的特征值为约 5 10 A/m。结果表明，在电流密度低于 A/m 时，写入错误率对 STT 不敏感。
引用
@article{arxiv.1906.00593,
title = {Impact of spin transfer torque on the write error rate of a voltage-torque-based magnetoresistive random access memory},
author = {Hiroshi Imamura and Rie Matsumoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.00593},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 5 figures, submitted to Physical Review Applied