面内磁场诱导的自旋轨道转矩存储器写入不对称性
应用物理
2021-10-26 v1
摘要
写入不对称性,即由于磁化的固有随机行为导致高阻到低阻与低阻到高阻切换所需写入电流显著不同,是磁性随机存取存储器(MRAM)中的基本问题。对于高性能自旋转移转矩(STT)MRAM,可通过精确控制原子级薄磁多层膜或引入电路级补偿技术来消除该问题;而对于自旋轨道转矩(SOT)MRAM,此问题尚未被解决。本文系统研究了SOT-MRAM的写入不对称性随外加磁场(H)的变化关系,并证明由于高阻到低阻与低阻到高阻切换的SOT效率不同,其写入电流存在本质不对称性。进一步,我们发现SOT效率对H与写入电流间夹角非常敏感,可通过调节H实现对称的SOT切换。这些结果为SOT器件设计提供了额外指导,并表明在无场SOT-MRAM架构中可通过调节所引入的有效磁场来消除写入不对称性。
关键词
引用
@article{arxiv.2110.12116,
title = {Write asymmetry of spin-orbit torque memory induced by in-plane magnetic fields},
author = {Baiqing Jiang and Dongyang Wu and Qianwen Zhao and Kaihua Lou and Yuelei Zhao and Yan Zhou and C. Tian and Chong Bi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.12116},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 4 figures