面内磁阻自旋轨道转矩器件中高速写入特性对外磁场的依赖性
介观与纳米尺度物理
2021-01-11 v2
摘要
自旋轨道转矩(SOT)磁阻(MR)器件因在下一代 MR 器件中的应用而受到关注。已知 SOT 器件根据自由层磁化方向与写入电流方向之间的相对角度表现出不同的写入特性。然而,比较各类器件写入特性的研究鲜有报道。在本研究中,我们使用两类面内磁化 SOT-MR 器件,测量了阈值写入电流密度和写入电流翻转概率对外加垂直磁场的依赖性。
引用
@article{arxiv.2009.02887,
title = {Dependency of high-speed write properties on external magnetic field in spin-orbit torque in-plane magnetoresistance devices},
author = {Yohei Shiokawa and Eiji Komura and Yugo Ishitani and Atsushi Tsumita and Keita Suda and Kosuke Hamanaka and Tomohiro Taniguchi and Tomoyuki Sasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.02887},
year = {2021}
}
备注
17 pages, 5 figures