由结参数分布引起的自旋转移矩磁随机存取存储器写入错误率分布
介观与纳米尺度物理
2022-11-01 v2 统计力学
摘要
本文理论研究了由电阻面积积与各向异性常数分布所引起的自旋转移矩磁随机存取存储器(STT MRAM)写入错误率(WER)的分布。假设WER远小于1,且结参数服从正态分布式,我们证明WER服从对数正态分布。我们推导了概率密度函数与统计量的解析表达式。我们发现WER的变异系数可通过减小脉冲宽度来降低。我们还基于Fokker-Planck方程进行了数值模拟,并确认了解析表达式的有效性。这些结果对设计可靠的STT MRAM具有用处。
引用
@article{arxiv.2209.13828,
title = {Distribution of write error rate of spin-transfer-torque magnetoreistive random access memory caused by a distribution of junction parameters},
author = {Hiroshi Imamura and Hiroko Arai and Rie Matsumoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.13828},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 4 figures, typos corrected, hyperlinks added