基于 HfOx 的阻变存储器的变异性与误码率的在线测试
新兴技术
2015-09-02 v1 材料科学
数据分析、统计与概率
摘要
针对制造与产品设计，研究了基于 HfOx 的阻变随机存取存储器（RRAM）的空间与时间变异性。制造变异性在批次、晶圆和芯片等不同层级上进行了表征。提出将误码率（BER）作为写循环电阻统计的整体参数。利用电气在线测试循环数据，开发了一种推导 BER 作为设计裕量函数的方法，以为技术评估和产品设计提供指导。所提出的 BER 计算也可用于离线台架测试和内建自测试（BIST），以实现自适应纠错，并适用于其他类型的随机存取存储器。
引用
@article{arxiv.1509.00070,
title = {In-Line-Test of Variability and Bit-Error-Rate of HfOx-Based Resistive Memory},
author = {B. L. Ji and H. Li and Q. Ye and S. Gausepohl and S. Deora and D. Veksler and S. Vivekanand and H. Chong and H. Stamper and T. Burroughs and C. Johnson and M. Smalley and S. Bennett and V. Kaushik and J. Piccirillo and M. Rodgers and M. Passaro and M. Liehr},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.00070},
year = {2015}
}
备注
4 pages. Memory Workshop (IMW), 2015 IEEE International