开环写入 RRAM 的最大存储容量约为 4 比特

关于多级存储器件已有大量研究，其中阻变随机存取存储器（RRAM）是一个突出的例子。尽管很容易将 RRAM 器件写入多个（甚至准连续）状态，但它受到固有变异性的影响，这应会限制其存储容量，尤其是在开环写入场景中。在这方面已有许多实验结果，然而，缺乏对有效多位存储能力的全面分析，尤其是在理论层面。缺乏这种洞察通常会导致误导性结论，要么高估要么低估 RRAM 器件的存储容量。在此，基于信息论概念，我们提出了一个用于评估开环写入 RRAM 存储容量的模型。基于文献中的实验结果和我们自己器件的测试结果，我们仔细考察了预定义电平数、电导变异和电导范围对存储容量的影响。分析得出的结论是，RRAM 器件的最大容量约为 4 比特。