基于忆阻器的 RRAM 在写电压与频率方面的可靠性研究
新兴技术
2016-02-12 v1
摘要
在本文中，我们报告了写电压和频率对基于忆阻器的阻变随机存取存储器(Resistive Random Access Memory, RRAM)的影响。上述参数已在忆阻器的线性漂移模型上进行了研究。随着写电压从 0.2V 变化到 1.2V 以及随后的频率调制从 1、2、4、10、100 和 200 Hz，报告了对记忆窗口、低阻态(Low Resistance State, LRS)和高阻态(High Resistance State, HRS)的相应影响。因此，利用上述结果进行了基于忆阻器的 RRAM 的寿命({\tau})可靠性分析。研究发现，HRS 与写电压无关，而 LRS 表现出对写电压和频率的依赖性。仿真结果表明，忆阻器在较高电压与较低频率区域拥有更高的记忆窗口和寿命({\tau})，这归因于存储架构中较少的数据丢失。
引用
@article{arxiv.1602.01947,
title = {Investigating Reliability Aspects of Memristor based RRAM with Reference to Write Voltage and Frequency},
author = {T. D. Dongale and K. V. Khot and S. V. Mohite and N. K. Desai and S. S. Shinde and A. V. Moholkar and K. Y. Rajpure and P. N. Bhosale and P. S. Patil and P. K. Gaikwad and R. K. Kamat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.01947},
year = {2016}
}
备注
Pages-11, figures-6