金属氧化物忆阻器的频率响应
应用物理
2021-07-07 v1
摘要
在过去十年中,忆阻器一直处于纳米电子学研究的前沿,为可重构计算提供了有价值的组件。它们的特性已被广泛研究,并且利用其状态依赖的可编程性的静态应用也得到了充分探索。然而,基于忆阻器的交流电路的实际应用相当稀少,文献中仅见少数在较高频率下模拟其使用的例子。在本工作中,我们研究了金属氧化物忆阻器在 到 Hz 频率范围内的交流扰动下的行为。发现金属氧化物忆阻器表现为 RC 低通滤波器,并且在其状态被切换时呈现可变截止频率,从而作为滤波器使用时提供了可重构的窗口。我们进一步跨不同材料体系研究了此行为,并表明可通过修正器件的电容来定制器件可用可重构窗口以涵盖特定频率范围。本研究通过表征金属氧化物忆阻器的频率依赖特性扩展了当前认知,为其用于可重构交流电路提供了有益见解。
引用
@article{arxiv.2012.11519,
title = {Frequency Response of Metal-Oxide Memristors},
author = {Vasileios Manouras and Spyros Stathopoulos and Suresh Kumar Garlapati and Alex Serb and Themis Prodromakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.11519},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 7 figures