利用自适应容变算法实现忆阻器件状态的高精度调节

利用二氧化钛薄膜器件常见的忆阻特性，我们设计了一种简单的写入算法，即使在开关行为存在较大波动的情况下，也能将器件在特定偏置点的电导调节至其动态范围内1%的相对精度（大致相当于7位精度）。该高精度状态是非易失性的，并且由于电阻开关固有的丝状本质，这一结果很可能在纳米尺度忆阻器件中得以维持。所提出的忆阻器件功能对于低精度数据的模拟计算尤其具有吸引力。作为一个代表性示例，我们展示了由CMOS求和放大器与两个忆阻器件组成的混合电路，用以执行模拟乘法与累加计算，这是信息处理中典型的瓶颈操作。