超薄HfO$_2$基忆阻开关器件的氧调制量子电导
介观与纳米尺度物理
2016-11-23 v1
摘要
忆阻开关器件是阻变随机存取存储器技术的候选者，已被证明在关断过程中会经历一系列具有量子化电导及随后非整数电导（以电导量子 为单位）的状态。我们基于密度泛函理论进行了计算，以对涉及一个或两个氧原子移动的 Pt-HfO-Pt 结构的开关过程进行建模。在导电的氧空位细丝内移动的氧原子充当隧穿势垒，并将该细丝分割成弱耦合的量子阱。我们表明，当一个氧原子远离界面时，低偏置电导呈指数下降。我们的结果证明了器件电导对氧原子位置的高度敏感性。
引用
@article{arxiv.1607.07752,
title = {Oxygen modulated quantum conductance for ultra-thin HfO$_2$-based memristive switching devices},
author = {Xiaoliang Zhong and Ivan Rungger and Peter Zapol and Olle Heinonen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07752},
year = {2016}
}