Pt/TiOx/TaOy/Pt 忆阻器中的氧空位动力学：与环境的交换及内部电迁移
介观与纳米尺度物理
2024-08-06 v1
摘要
忆阻器有望成为开发新型仿生纳米电子学的关键构件之一。过渡金属氧化物中的忆阻效应通常与带电氧空位（OV）在纳米尺度上的电迁移有关。在本文中，我们针对 Pt/TiOx/TaOy/Pt 器件，研究了在施加电应力时器件与环境之间的 OV 交换。通过实验与理论模拟相结合，我们确定在电形成过程中，TiOx 和 TaOy 层均通过环境氧吸收而发生氧化。一旦忆阻效应稳定下来（形成后行为），我们的结果表明与环境的氧交换被抑制，驱动忆阻行为的 OV 动力学仅限于 TiOx 与 TaOy 层之间的内部电迁移。我们的工作为设计可靠的二元氧化物忆阻器件提供了相关信息。
引用
@article{arxiv.2207.03538,
title = {Oxygen vacancy dynamics in Pt/TiOx/TaOy/Pt memristors: exchange with the environment and internal electromigration},
author = {Rodrigo Leal Martir and María José Sánchez and Myriam Aguirre and Walter Quiñonez and Cristian Ferreyra and Carlos Acha and Jerome Lecourt and Ulrike Lüders and Diego Rubi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.03538},
year = {2024}
}
备注
preprint 20 pages, 4 figures