氧化物电子学中旧材料的新形态：用于阻变随机存取存储器应用的金属氧化物
应用物理
2020-01-10 v1 材料科学
摘要
表现出阈值与非易失性存储阻变切换效应的过渡金属氧化物薄膜，近来被提出作为存储级存储器的候选材料。本工作中，我们描述了通过阳极氧化获得的多种过渡金属（V、Ti、Fe、Nb、Mo、W、Hf、Zr、Mn、Y 和 Ta）氧化物薄膜中阈值切换的一些实验结果。随后，给出了基于 V2O5、Nb2O5 和 NiO 等氧化物的 MOM 与 MOS 结构中双稳态阻变切换效应的结果。研究表明，基于 Au/V2O5/SiO2/Si、Nb/Nb2O5/Au 和 Pt/NiO/Pt 的夹层结构可用作 ReRAM（阻变随机存取存储器）应用的存储元件。最后，为从理论上描述 Pt/NiO/Pt 结构中非易失性单极性切换效应，建立了模型近似。
引用
@article{arxiv.2001.03026,
title = {Novel hypostasis of old materials in oxide electronics: metal oxides for resistive random access memory applications},
author = {Alexander Pergament and Genrih Stefanovich and Andrei Velichko and Vadim Putrolainen and Tatiana Kundozerova and Tatiana Stefanovich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.03026},
year = {2020}
}
备注
28 pages, 14 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1102.3840