氧化物非易失性存储器件中单极电阻切换的一种机制
其他凝聚态物理
2009-11-13 v1
摘要
基于最近引入的非易失性电阻切换模型，我们提出了一种金属 - 绝缘体 - 金属三明治结构中单极电阻切换的机制。从高阻态到低阻态及其反向的转换可以通过相同极性的连续电压扫描来实现。研究发现，金属 - 绝缘体界面的电子关联效应在产生电阻转换效应中起关键作用，这与最近关于基于二元过渡金属氧化物的三明治结构的实验报告在定性上一致。
引用
@article{arxiv.0707.3077,
title = {A mechanism for unipolar resistance switching in oxide non-volatile memory devices},
author = {M. J. Sanchez and M. J. Rozenberg and I. H. Inoue},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.3077},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures