基于垂直2D硫化钼的器件中挥发性与非挥发性电阻开关
材料科学
2025-09-10 v1
摘要
开发能够模仿生物功能的电子器件对于推动类脑计算范式如神经形态计算的发展至关重要。近年来，二维材料作为神经形态电子器件的优越候选者不断涌现。本工作针对基于硫化钼（MoS）的垂直型 memristor 器件，采用银作为活性电极，研究其挥发性和非挥发性电阻开关的共存问题。制备的器件在直流测量下分别表现为挥发性和非挥发性操作，开关电压分别约为0.16 V和0.52 V。器件在脉冲激励下显示出了成对脉冲赋能和短期和长期塑性的必备光突触功能。通过原位透射电子显微镜检查其操作机制，显示银离子在硫化钼之间沿垂直方向迁移。基于实验数据，我们采用宏观半经典电子传输模型来复现电压-电流特性，以支持所提出的基本开关机制。
关键词
引用
@article{arxiv.2504.07979,
title = {Volatile and Nonvolatile Resistive Switching in Lateral 2D Molybdenum Disulfide-Based Memristive Devices},
author = {Sofía Cruces and Mohit D. Ganeriwala and Jimin Lee and Ke Ran and Janghyun Jo and Lukas Völkel and Dennis Braun and Bárbara Canto and Enrique G. Marín and Holger Kalisch and Michael Heuken and Andrei Vescan and Rafal Dunin-Borkowski and Joachim Mayer and Andrés Godoy and Alwin Daus and Max C. Lemme},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.07979},
year = {2025}
}
备注
36 pages