有机薄膜忆阻器件中动态改变的导电性
材料科学
2023-05-24 v1
摘要
忆阻器件是新型、受脑启发、快速且节能的信息处理系统的基本元件之一，其中记忆与分析功能不再分离。自电阻开关效应首次展示以来，已开发出数种忆阻器件。其中大多数器件的忆阻效应源于导电区域的直接修改，例如导电细丝的形成/瓦解，或半导体掺杂/去掺杂。在此，我们报道一种基于新电导率调制机制的溶液加工横向忆阻器件。该器件结构类似于有机场效应晶体管，但其顶栅电极被含有可移动离子的附加绝缘层层替代。在施加电势影响下离子分布的改变改变了电场，从而调制半导体沟道的电导率。该器件表现出高度稳定的电流-电压滞回环和短时程可塑性（STP）。我们还展示了具有可调时间常数的短时程突触可塑性。
引用
@article{arxiv.2305.13466,
title = {Dynamically altered conductance in an Organic Thin Film Memristive Device},
author = {Agnieszka I. Pawłowska and Paweł Dąbczyński and Sebastian Lalik and Juan Pablo Carbajal and Dante R. Chialvo and Jakub Rysz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.13466},
year = {2023}
}