三端器件的忆阻系统分析
介观与纳米尺度物理
2010-12-24 v1 无序系统与神经网络
材料科学
摘要
忆阻系统 (Memristive systems) 由 Leon Chua 和 Sung Mo Kang 于 1976 年提出, 作为具有记忆效应的两端无源非线性动力系统的模型。此类系统最初被证明与 Hodgkin-Huxley 模型中神经元动作电位的建模相关, 并且最近与用于非易失性电阻存储的 TiO2-x 等薄膜材料的建模相关。然而, 在过去的 50 年中, 各种三端非无源动力器件也被证明表现出与忆阻系统模型预测类似的记忆效应。本文将原始的忆阻系统框架扩展到包含三端非无源器件, 并解释了此类动力系统模型在 1) Widrow-Hoff 忆阻器 (memistor), 2) 浮栅存储单元, 以及 3) 纳米离子场效应晶体管 (nano-ionic FETs) 中的适用性。关键词-忆阻系统, 忆阻器, 跨导, 突触晶体管, 非线性动力系统
引用
@article{arxiv.1012.5124,
title = {Memristive Systems Analysis of 3-Terminal Devices},
author = {Blaise Mouttet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.5124},
year = {2010}
}