丝状记忆电阻器的动态系统模型
介观与纳米尺度物理
2011-06-28 v3
摘要
本文提出了一种描述包含灯丝导电桥的记忆电阻器的动态系统模型。在该模型中，系统状态由动态隧穿势垒（与灯丝-电极间隙相关）和动态肖特基势垒（与灯丝-电极间隙周围的电子耗尽宽度相关）共同定义。该通用模型的提出可适用于多种不同形式的记忆电阻器材料。此外，简要讨论了该模型的频率响应。
引用
@article{arxiv.1103.4663,
title = {Dynamic Systems Model for Filamentary Mem-Resistors},
author = {Blaise Mouttet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4663},
year = {2011}
}
备注
5 pages