基于 TiO₂ 的忆阻器与 ReRAM：材料、机制与模型（综述）
材料科学
2016-11-15 v1 介观与纳米尺度物理
新兴技术
摘要
忆阻器是基本的非线性电路元件，可用于计算与计算机存储。ReRAM（阻变随机存取存储器）是一种被提议用作非易失性存储器的阻变存储器件。本综述将总结这两个密切相关领域的最新进展，重点关注二氧化钛——这一被广泛使用且具有代表性的材料。我们将涵盖材料特性、开关机制与模型，以展示 ReRAM 与忆阻器研究者可以相互借鉴之处，并审视这些技术的发展前景。
引用
@article{arxiv.1611.04456,
title = {TiO$_2$-based Memristors and ReRAM: Materials, Mechanisms and Models (a Review)},
author = {Ella Gale},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.04456},
year = {2016}
}
备注
Review, 29 pages, 2 figures, journal