基于 VerilogA 的 TEAM 与 VTEAM 忆阻器模型数学建模

任何涉足电路领域的人都会熟悉三种基本电路元件——电容、电阻与电感。这些电路元件由四个基本电路变量（电流、电压、电荷与磁通）中两两之间的关系所定义。然而，1971 年，蔡少棠（Leon Chua）教授基于对称性提出，应当存在第四种基本电路元件，给出磁通与电荷之间的关系。他将其命名为忆阻器（memristor），即记忆电阻（memory resistor）的缩写。该理论随后于 2008 年 5 月得到实际建模，当时惠普实验室（HP Labs）的研究人员发表了一篇论文，宣布了一种忆阻器物理实现的模型。本报告主要关注忆阻器模型及其应用，其优势包括可变电阻、灵活性、无漏电流以及与 CMOS 的兼容性。忆阻器元件针对不同应用表现出不同特性，从而形成了不同的忆阻器模型。本文综述了忆阻器的不同模型。忆阻器器件可用于诸多应用，如存储器、逻辑与神经形态系统。忆阻器的计算机模型将是分析电路行为的有用工具，有助于通过仿真开发该无源电路元件的应用。本文中，针对正弦输入仿真了多种忆阻器器件的 VerilogA 模型，并验证了输出；使用了多种窗函数。完成了对各种忆阻器模型的电路分析。