第四种基本元件：忆阻器的特性、建模与电磁理论

2008年，惠普实验室的研究人员在《自然》杂志上发表论文，报道了一种新型基本电路元件的实现，该元件填补了电荷与磁通链之间的缺失环节，这一环节由Leon Chua于1971年提出。惠普忆阻器基于纳米尺度的TiO₂薄膜，包含掺杂区和未掺杂区。除了忆阻器在人工生物系统和非易失性随机存取存储器中的拟议应用外，它们还实现了可重构纳米电子学。此外，忆阻器为专用集成电路和现场可编程门阵列提供了新的范式。忆阻器在集成电路中的潜在优势包括面积显著减小以及前所未有的存储容量和器件密度。本文综述了忆阻器，并提供了忆阻器的数学和SPICE模型。通过回顾麦克斯韦方程组的准静态展开，深入了解了忆阻器器件。我们还基于电磁理论回顾了Chua的论点。