难以捉摸的忆阻器：基本电路的性质

我们提供了一篇关于新理想电路元件——忆阻器性质的教程。根据定义，忆阻器M将电路中的电荷q和磁通量$\phi$联系起来，并作为理想电路的组成部分，补充了电阻R、电容C和电感L。这三个元件及其电路的性质是标准课程的一部分。忆阻器作为第四种理想电路元件的存在性于1971年基于对称性论证被预言，但直到今年才得到明确的实验验证。我们介绍了单个忆阻器、串联和并联忆阻器，以及理想忆阻器-电容(MC)、忆阻器-电感(ML)和忆阻器-电容-电感(MCL)电路的性质。我们发现忆阻器具有滞后的电流-电压特性。我们展示了理想MC(ML)电路经历具有两个时间尺度的非指数电荷（电流）衰减，并且通过切换电容器的极性，理想MCL电路可以从过阻尼调谐到欠阻尼。我们提出了简单模型，表明这些不寻常的性质与忆阻器的内部动力学密切相关。本教程补充了理想电路元件(R、C和L)及其电路性质的教学内容。