关于忆阻、忆容和忆感系统的物理性质
介观与纳米尺度物理
2013-07-04 v2 材料科学
摘要
我们讨论了现实忆阻、忆容和忆感系统的物理性质。特别是，通过运用著名的响应函数理论和微观推导，我们表明具有记忆功能的电阻器、电容器和电感器自然出现在系统（尤其是纳米尺度系统）对外部扰动的响应中。因此，由于忆阻、忆容和忆感仅仅是响应函数，它们不一定是有界的。这意味着，与某些文献中一贯主张的不同，所有这些记忆元件的发散和非交叉输入 - 输出曲线在量子和经典机制下在物理上都是可能的。出于类似原因，发现忆容和忆感在动力学过程中的某些时刻获得负值并不令人惊讶，而忆阻系统的无源性判据则要求电阻在任何给定时刻始终为非负值。最后，我们表明理想忆阻器（即其状态仅取决于流过它的电荷量或电压历史的那些）受制于非常严格的物理条件，无法保护其记忆状态免受不可避免的涨落影响，因此易受随机灾难的影响。类似的考虑也适用于理想忆容器和理想忆感器。
引用
@article{arxiv.1302.7063,
title = {On the physical properties of memristive, memcapacitive, and meminductive systems},
author = {M. Di Ventra and Y. V. Pershin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.7063},
year = {2013}
}