电阻开关存储器并非忆阻器的实验证明
介观与纳米尺度物理
2020-08-12 v2 新兴技术
摘要
有观点认为所有电阻开关存储单元都是忆阻器。忆阻器是假想的、理想的器件，按其原始定义，其电阻仅取决于流经其中的净电荷。近来，人们提出了一种明确的测试方法 [J. Phys. D: Appl. Phys. {\bf 52}, 01LT01 (2019)]，用以判定给定物理系统是否确为忆阻器。在此，我们对自主制备的 Cu-SiO2 以及市售的电化学金属化存储单元实验性地施加了该测试。我们的结果明确表明，电化学金属化存储单元不是忆阻器。由于本研究所采用的特定电阻开关存储器与许多其他存储单元具有相似特征，我们的发现驳斥了“所有电阻开关存储器都是忆阻器”的论断。它们也对可作为实验制备的实际物理器件而存在的理想忆阻器提出了质疑。我们的结果进而引导我们提出两条关于基于忆阻器模型构建物理电阻开关存储器模型之不可能性的忆阻器不可能性猜想。
引用
@article{arxiv.1909.07238,
title = {An experimental proof that resistance-switching memories are not memristors},
author = {J. Kim and Y. V. Pershin and M. Yin and T. Datta and M. Di Ventra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.07238},
year = {2020}
}