哪种忆阻器理论最能将器件特性与忆阻功能联系起来?
材料科学
2013-12-17 v1 介观与纳米尺度物理
新兴技术
化学物理
摘要
目前有三种理论模型旨在将实验可测量或制造可控的器件特性与忆阻器的工作机制联系起来:1. Strukov等人的唯象模型;2. Georgiou等人对该唯象模型的伯努利重写;3. Gale的记忆守恒模型。它们在预测电极尺寸变化对忆阻的影响以及影响迟滞的因素方面存在差异。我们使用一批具有不同顶部电极宽度的TiO溶胶-凝胶忆阻器,对这三种理论进行了测试和比较。研究发现,与模型2的预测相反,“无量纲集总参数”与任何迟滞度量均不相关。与模型1相反,忆阻被发现依赖于TiO层的三个空间维度,这与模型3的预测一致。模型3被发现能够拟合电阻值随电极尺寸的变化。使用模型3和实验得出的接触电阻值进行的仿真给出的迟滞值,与实验测量值呈线性关系(且仅相差一个数量级)。忆阻器迟滞被发现与开态电阻相关,从而与电极尺寸相关(因为这两者是相关的)。这些结果为忆阻的记忆守恒理论及其将空位磁通量与忆阻器理论中缺失的磁通量相关联的观点提供了验证。这是第一篇对各种有关忆阻器件工作的理论进行实验检验的论文。
引用
@article{arxiv.1312.4422,
title = {Which Memristor Theory is Best for Relating Devices Properties to Memristive Function?},
author = {Ella M. Gale and Benjamin de Lacy Costello and Andrew Adamatzky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.4422},
year = {2013}
}
备注
32 pages, 18 figures