忆阻器器件中的临界性与深层记忆的创建

在本文中，我们描述了一种评估真实器件记忆能力的方法，同时向工程界提出建议，指导其如何创建具有深层关联记忆能力的器件。对真实忆阻器纳米器件产生的信号的研究，集中于用有限系统中临界现象的Landau $\phi$4理论进行描述。这进一步允许我们利用系统处于自发对称性破缺（SSB）时自相关函数的异常增强特性，来提高所展示记忆的容量，同时保持极好的质量，这体现在自相关函数的稳定性上。在这个概念验证案例中，信号的形态使我们能够对信号施加适当的修改，从而最终展示如何使其非常接近SSB的特征，进而实现我们的目标，即尽可能接近产生深层记忆的理想忆阻器行为。最后，我们通过展示孤子“遵循”实验得出时间序列作为骨架结构，提供了忆阻器运行稳定性的证明。