单个忆阻器用作突触的瓶颈及其解决方案
神经与进化计算
2012-11-26 v3
摘要
目前人们普遍认为，忆阻器件是神经形态系统中模拟生物突触的理想候选者。这主要是因为，与突触强度类似，忆阻器件的忆阻值可以被主动调节（例如，通过施加电压或电流）。此外，通过纳米交叉杆结构，还可以制造非常高密度的忆阻器件（可与真实生物系统中的突触数量相媲美）。然而，在本文中，我们将展示与忆阻突触（扮演生物突触角色的忆阻器件）相关的一些问题。例如，我们表明忆阻器件的忆阻值变化率完全取决于器件当前的忆阻值，因此在学习阶段它会随时间显著变化。这种现象会降低诸如脉冲时序依赖可塑性（STDP）等学习方法的性能，并导致相应的神经形态系统变得不稳定。最后，在本文结尾，我们说明使用两个极性相反、串联连接的忆阻器件作为突触可以在一定程度上解决上述问题。
引用
@article{arxiv.1008.3450,
title = {Bottleneck of using single memristor as a synapse and its solution},
author = {Farnood Merrikh-Bayat and Saeed Bagheri Shouraki and Iman Esmaili Paeen Afrakoti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3450},
year = {2012}
}
备注
17 pages, 9 figures