基于NbOx的忆阻器作为模拟短期可塑性的人工突触
应用物理
2019-10-02 v1
摘要
忆阻器可以模拟生物突触的功能，能够同时存储突触权重并调制传输信号。在此，我们报道基于Nb/Nb2O5/Pt的双极阻变忆阻器，表现出类似突触的特性，即电导随后续电压信号逐渐连续变化。通过短期可塑性、尖峰速率依赖可塑性、成对脉冲易化和强直后增强，展示了对生物大脑记忆和遗忘过程基本功能的模拟。器件层界面调控被证明会影响器件性质从数字行为向模拟行为的偏移。在基于NbOx的器件中演示基本突触功能，使它们适用于神经形态应用。
引用
@article{arxiv.1910.00260,
title = {NbOx based memristor as artificial synapse emulating short term plasticity},
author = {Sweety Deswal and Ashok Kumar and Ajeet Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.00260},
year = {2019}
}
备注
14 pages, 5 figures