利用金属氧化物忆阻器的温度依赖性模拟稳态效应
新兴技术
2021-10-11 v1
摘要
过去十年间，忆阻器技术迅速成熟，以满足新兴存储器、人工突触、逻辑门与生物信号处理应用的需求。然而，迄今为止大多数概念都是通过利用忆阻器可调的电阻态开发的，而其他物理特性被忽略。在此，我们报道金属氧化物忆阻器的热特性，并展示如何利用这些特性模拟生物神经元的一项基本功能：稳态。我们表明，常被因其通常缓慢且粗粒度的特性而忽视的热控制机制，实际上可能因其极简的实现方式，成为模拟类似缓慢且粗粒度生物机制的恰当途径。我们进一步证明金属氧化物忆阻器可用作温度计，并展现出可编程的温度灵敏度。本工作为未来利用忆阻器丰富物理特性（超越其电态可调性）来驱动新一代先进电子器件铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2110.04102,
title = {Emulating homoeostatic effects with metal-oxide memristors T-dependence},
author = {Thomas Abbey and Alexantrou Serb and Spyros Stathopoulos and Loukas Michalas and Themis Prodromakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.04102},
year = {2021}
}
备注
5 Pages main, 7 pages supplemental, 3 figures