相变驱动的忆阻系统
强关联电子
2015-05-13 v2 其他凝聚态物理
摘要
忆阻器是一种无源电路元件，其行为类似于具有记忆功能的电阻。近期忆阻器的实验实现引发了人们对这一概念及其潜在应用的兴趣。在此，我们展示了二氧化钒薄膜中的忆阻响应。该行为由这种氧化物典型的绝缘体-金属相变驱动。我们讨论了该器件的若干潜在应用，包括高密度信息存储。最重要的是，我们的结果展示了基于相变现象实现忆阻系统的新途径。
引用
@article{arxiv.0901.0899,
title = {Phase-transition driven memristive system},
author = {Tom Driscoll and Hyun-Tak Kim and Byung-Gyu Chae and Massimiliano Di Ventra and D. N. Basov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.0899},
year = {2015}
}