双量子点忆阻器
介观与纳米尺度物理
2017-09-11 v2
摘要
忆阻系统是忆阻器的推广，后者是具有记忆功能的电阻器。在本文中，我们给出了忆阻系统的量子描述。利用该模型，我们提出并实验演示了一种利用量子点实现忆阻系统的简单实用方案。该方法利用了通常被视为纳米电子学中不利因素的俘获电荷在器件附近发生切换的现象。我们表明，量子点忆阻系统具有迟滞电流-电压特性以及量子跃迁诱导的随机行为。实现这样的量子忆阻器补全了量子电路设计的组件库。
引用
@article{arxiv.1612.08409,
title = {A double quantum dot memristor},
author = {Ying Li and Gregory W. Holloway and Simon C. Benjamin and G. Andrew D. Briggs and Jonathan Baugh and Jan A. Mol},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.08409},
year = {2017}
}