基于极化子的量子忆阻器
量子物理
2022-03-02 v1
摘要
由同一物理系统实现信息处理和存储正成为传统计算平台的一种有前景的替代方案。而这需要实现这样一种基本单元：其存储内容可被轻易调节和控制。在此，我们引入一种基于极化子的量子忆阻器，其中忆阻特性源于腔间极化子交换，并由时变原子-腔失谐控制。动态滞后的特征表现为瞬时极化子数的涨落，其中历史信息被编码进一个动态相位中。利用 Lindblad 主方程方法，我们发现量子忆阻器动力学的特征（如滞后环的面积与环流）展现出一种由量子态初始化控制的“可塑性”。这使得该量子忆阻器在广泛应用领域中具有极强的通用性。
引用
@article{arxiv.2108.09382,
title = {Polariton-based quantum memristors},
author = {Ariel Norambuena and Felipe Torres and Massimiliano Di Ventra and Raúl Coto},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.09382},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 4 figures