利用易失性忆阻器进行计算：非捏滞回的应用

我们展示了利用易失性忆阻器件（即需要电源来维持其记忆的忆阻器）进行存内计算的可能性。我们采用一种滞回的基于石墨烯的场发射结构作为易失性忆阻器的原型，其特征是具有非捏滞回环。建立了该结构的忆阻模型，并用于模拟实现存内计算门（如物质蕴含）的多态电路。确定了实现有用逻辑函数的参数空间的特定区域。我们的结果适用于易失性存储器件的其他实现。