大规模且稳健的多功能垂直排列 MoS$_2$ 光忆阻器
应用物理
2020-09-22 v1 材料科学
摘要
忆阻器件因其在非易失性存储与神经形态计算中的潜在应用而受到相当多的研究关注。将阻变器件与光响应材料结合被视为将光学信息集成到电子电路中的一种新途径。另一方面，二维材料因其独特的晶体结构（体现在其化学与物理性质中）而吸引了大量关注。尽管并非主要焦点，范德瓦耳斯固体已被证明是忆阻器件中的潜在候选者。在该方案中，大多数阻变器件是在通过机械剥离获得的平面薄片上实现的。在此，我们利用一种简便且稳健的方法在标准硅衬底上生长大规模垂直排列的 MoS（VA-MoS）薄膜。具有银/VA-MoS/Si 结构的忆阻器件被证明具有低置位导通电压（<0.5V）、长保持时间（ s）和高热稳定性（高达 350 C）。所提出的忆阻器件还表现出长时程增强/抑制（LTP/LTD）和光活性记忆态。大规模制备，连同低工作电压、高热稳定性、光响应行为以及长时程增强/抑制，使该方法对实际非易失性存储应用极具吸引力。
引用
@article{arxiv.2008.11950,
title = {Large-Scale and Robust Multifunctional Vertically-Aligned MoS$_2$ Photo-Memristors},
author = {Kamalakannan Ranganathan and Mor Feingenbaum and Ariel Ismach},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.11950},
year = {2020}
}
备注
Advanced Functional Materials - In Press 18 pages, 7 figures