基于单层 MoS2 的栅可调忆阻器
应用物理
2018-03-02 v1 材料科学
摘要
我们在此报道基于化学气相沉积（CVD）生长的单层 MoS2 的栅可调忆阻器。这些忆阻器以场效应几何制备，沟道由晶粒尺寸 3-5 um 的多晶 MoS2 薄膜构成。器件特性展示高达 500 的开关比，各态电阻可连续栅调超过三个数量级。阻变开关源于动态变化的阈值电压和肖特基势垒高度，其潜在物理机制似乎是空位迁移和/或电荷俘获。顶栅器件实现对阈值电压的可逆调谐，在非易失性存储器或神经形态架构中具有潜在用途。
引用
@article{arxiv.1802.07785,
title = {Gate-tunable memristors from monolayer MoS2},
author = {Vinod K. Sangwan and Hong-Sub Lee and Mark C. Hersam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.07785},
year = {2018}
}