图案化LaAlO3/SrTiO3界面中的栅极可调、常开到常关忆阻转变
介观与纳米尺度物理
2017-03-14 v2
摘要
我们报道了在低温下图案化LaAlO3/SrTiO3界面中的栅极可调忆阻开关。向器件背栅施加几伏量级的电压可控制并开关固有的记忆功能（忆阻）。对于大和小栅压，观察到简单的非线性电阻特性，而在中间电压范围出现捏滞回线和忆阻开关。忆阻进一步受氧空位密度控制，后者通过在氮气氛围中300 {\deg}C退火样品来调节。根据退火时间，零栅压下的忆阻可被开启和关闭，从而导致常开和常关忆阻器。所呈现的器件分别通过栅电压和退火提供对忆阻特性的可逆与不可逆控制，这可能允许补偿忆阻器的制造变异性，后者使基于忆阻器的大型神经网络的实现复杂化。
引用
@article{arxiv.1610.05146,
title = {Gate-tunable, normally-on to normally-off memristance transition in patterned LaAlO3/SrTiO3 interfaces},
author = {Patrick Maier and Fabian Hartmann and Judith Gabel and Maximilian Frank and Silke Kuhn and Philipp Scheiderer and Berengar Leikert and Michael Sing and Lukas Worschech and Ralph Claessen and Sven Höfling},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.05146},
year = {2017}
}
备注
14 pages, 4 figures