二维层状反铁磁体中的磁-忆阻开关
材料科学
2019-10-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
阻态可由电场或电流滞后切换的忆阻器件，因基础科学意义及在神经形态计算与相变存储器中的潜在应用而受到广泛关注。当底层材料呈现额外的电荷或自旋序时，阻态可直接耦合，进一步实现对集体相的电学调控。在此，我们报道了在超薄 CrI（一种天然层状反铁磁体）纳米结中隧穿电流的突变、忆阻式切换现象。其与自旋序的耦合使得电阻滞回可由磁场调控，并且即便在多层层状样品中也能实现磁化的电场切换。
引用
@article{arxiv.1910.11383,
title = {Magneto-memristive switching in a two-dimensional layer antiferromagnet},
author = {Hyun Ho Kim and Shengwei Jiang and Bowen Yang and Shazhou Zhong and Shangjie Tian and Chenghe Li and Hechang Lei and Jie Shan and Kin Fai Mak and Adam W. Tsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.11383},
year = {2019}
}