可调磁化切换的电流驱动型磁性存储器
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
在 SiO_2 介质中通过铜电极沉积了 Co(x nm, x=10nm 或 40nm)/Cu(5nm)/Co(2.5nm) 层结构。通过垂直于层面的电流切换这些器件的磁态及其对应的电阻态。I-V 曲线显示出非对称的滞回行为。当电子流方向从厚 Co 层流向薄 Co 层时 (正电流), 在电流增大至选定的最大正值 I(write) 之前, 可观察到多次相位切换。当电流减小至 I(write) 以下时, I-V 曲线变得光滑, 电阻显著降低。反向电流下, 在电流值 I(erase) ~ -0.9*I(write) 时, 可发生 abrupt 切换至高电阻态。两种态在电流为零时电阻均达到最大值, 其中 R(high)/R(low) 可达四倍。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105290,
title = {Current-Driven Magnetic Memory with Tunable Magnetization Switching},
author = {S. K. Wong and A. B. Pakhomov and S. T. Hung and S. G. Yang and C. Y. Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105290},
year = {2007}
}
备注
10 pages, with 6 figures