从随机单原子开关到纳米级阻变存储器器件
介观与纳米尺度物理
2011-04-25 v3
摘要
固态离子导体是下一代非易失性计算机存储元件的良好候选者。此类器件必须在合理的电压和电流值下表现出可重复的电阻开关行为，即使缩小到纳米尺寸。在这里，我们研究了在钨尖端和覆盖有薄离子导体层的银膜之间创建的纳米级结的开关特性。原子尺寸的结表现出惊人的电流诱导开关特性，但开关电压的大小和开关方向在不同结之间随机变化。相比之下，对于直径几纳米的稍大结，观察到定义明确、可重复的开关行为，这与离子导体表面层中纳米级通道的形成和破坏有关。我们的结果定义了可靠离子纳米开关的3 nm低尺寸极限，这远低于近期光刻技术的分辨率。
引用
@article{arxiv.1006.5402,
title = {From stochastic single atomic switch to nanoscale resistive memory device},
author = {A. Geresdi and A. Halbritter and A. Gyenis and P. Makk and G. Mihály},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.5402},
year = {2011}
}