基于复杂氧化物的阻变存储器中的纳米尺度组分演化

基于功能氧化物的阻变存储器被公认为下一代高密度数据存储与类脑计算的潜在候选。为调控阻变特性以提升存储器性能，需对功能氧化物中的组分变化有基本理解。在此，我们呈现阻变氧化物存储器在阻变过程中诱导的微观/纳米结构与组分变化。基于缺氧非晶铬掺杂钛酸锶（Cr:$a$-SrTiO$_{3-x}$）的电阻变化存储器制备于 Ti/Cr:$a$-SrTiO$_{3-x}$ 异质结构中，并施加不同偏置条件以设定存储态。对不同存储态下存储器件的透射电子显微镜截面分析表明，非晶复杂氧化物中的微观/纳米结构变化及相关的氧化还原过程决定了阻变行为。这些实验结果为文献 [1] 提供了见解与支撑材料。