氧化层厚度对 Ti/TiO2-NT/Au 结构阻变特性的影响
材料科学
2019-06-18 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
化学物理
摘要
采用钛箔阳极氧化法合成了外径为 45 nm 的自有序纳米管状二氧化钛 TiO2-NT。制备了基于 Ti/TiO2-NT/Au 三明治结构、氧化层厚度分别为 80、120、160 和 200 nm 的四组直径为 100 的忆阻器。研究了所得样品在静态和动态工作模式下的电流-电压（CV）特性。估算了高阻态和低阻态的电阻。基于对动态模式下 CV 特性（> 14 000 次开关）的分析，表明氧化层厚度为 160 nm 的合成 Ti/TiO2-NT/Au 微忆阻器在非易失性存储器中具有应用前景。
引用
@article{arxiv.1906.06555,
title = {Oxide layer thickness effects on the resistance switching characteristics of Ti/TiO2-NT/Au structure},
author = {I. B. Dorosheva and A. S. Vokhmintsev and R. V. Kamalov and A. O. Gryaznov and I. A. Weinstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.06555},
year = {2019}
}
备注
4 pages, 4 figures, 1 table, 8 references (Conference paper)