金属氧化物结中电阻双稳态的实验研究
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1 材料科学
摘要
我们研究了基于金属氧化物的结中的电阻双稳态（记忆）效应，重点关注样品间的可重复性，这对于此类结用作混合CMOS/纳米电子电路的交点器件是必要的。通过热氧化和等离子体氧化，在不同的沉积和氧化条件下，无论是否经过快速热退火，形成了厚度为几纳米的NbOx、CuOx和TiOx层。在所有材料中都观察到了电阻双稳态效应，其中单层TiO2结具有特别高的耐久性（超过1000次开关循环），而相同材料的多层结达到了最佳的可重复性。工艺优化使我们能够将关/开电阻比提高到约1000，但样品间的可重复性目前仍低于大规模集成所需的要求。
引用
@article{arxiv.1002.2650,
title = {Experimental Study of Resistive Bistability in Metal Oxide Junctions},
author = {Zhongkui Tan and Vijay Patel and Konstantin K. Likharev and Dong Su and Yimei Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.2650},
year = {2015}
}
备注
25 pages, 8 figures