超薄La0.7Sr0.3MnO3/SrRuO3超晶格中的电阻开关
介观与纳米尺度物理
2014-08-04 v1 材料科学
摘要
如果读写数据的关键挑战能够得到解决，超晶格可能在下一代电子和自旋电子器件中发挥重要作用。这一挑战源于低维个体层与宏观世界的耦合。本文报告了一种由两种铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)和SrRuO3(SRO)的超薄层组成的超晶格混合结构的电阻开关特性研究。在这些LSMO/SRO超晶格上测量到了双极电阻开关记忆效应，观察到的开关行为可以用欧姆定律和空间电荷限制传导定律解释。从耐久性特性可以明显看出，该单元的开关记忆窗口大于14，表明该单元可以可靠地区分高电阻状态和低电阻状态之间的存储信息。这些发现可能为基于非易失性电阻记忆效应的器件构建铺平道路。
引用
@article{arxiv.1408.0103,
title = {Resistive switching in ultra-thin La0.7Sr0.3MnO3 / SrRuO3 superlattices},
author = {S. Narayana Jammalamadaka and Johan Vanacken and V. V. Moshchalkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.0103},
year = {2014}
}