MoSe$_{2}$/BaTiO$_{3}$ 混合结构中的阻变开关
应用物理
2017-10-26 v1
摘要
在此，我们研究当铁电 BaTiO (BTO) 与少层 MoSe 结合在单一结构中时出现的阻变开关（RS）效应。C-V 回线揭示了 Al/Si/SiO/BTO/Au 和 Al/Si/SiO/MoSe/BTO/Au 两种结构的铁电性质，以及 Al/Si/SiOx/MoSe/Au 结构中 SiO/MoSe 界面的高质量。Al/Si/SiO/MoSe/BTO/Au 混合结构显示出无电成形的阻变开关，这基于通过铁电极化翻转对 MoSe/BTO 界面处势分布调制的解释。该结构展现出有前景的阻变开关特性，其开关比约为 10 且具稳定记忆窗口，这些是存储应用所高度要求的。
引用
@article{arxiv.1705.04475,
title = {Resistive switching in MoSe$_{2}$/BaTiO$_{3}$ hybrid structures},
author = {J. P. B. Silva and C. Almeida Marques and J. Agostinho Moreira and O. Conde},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.04475},
year = {2017}
}