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W/Co:TiO2/FTO 结构的多级阻变开关特性

材料科学 2015-09-29 v1

作者: Haitao Tang , Zhi Luo , Zhao Yang , Bin Yang , Bo Huang , Weiguang Xie

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摘要

本文研究了由多重混合机制引起的 W/Co:TiO2/FTO 结构中的多级阻变开关（RS）。研究发现，器件可被重复编程至三种非易失性电阻态，并且实现了任意电阻态之间的直接切换。这提高了操作速度，并降低了多态非易失性存储器控制电路的复杂性。

关键词

阻变开关多级非易失性存储器 Co:TiO2 W/Co:TiO2/FTO 结构

引用

@article{arxiv.1509.08211,
  title  = {Multi-level Resistive Switching Characteristics of W/Co:TiO2/FTO Structures},
  author = {Haitao Tang and Zhi Luo and Zhao Yang and Bin Yang and Bo Huang and Weiguang Xie},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1509.08211},
  year   = {2015}
}