Cu/MgO/MoS2/Cu结构的阻性开关特性
应用物理
2025-04-04 v1 材料科学
摘要
在研究阻性开关器件时，人们发现插入层的影响无法被忽略。许多报告已确认，合适的插入层可以显著提高阻性开关器件的性能。因此，本工作采用磁枪法制备了三个器件：Cu/MgO/Cu、Cu/MgO/MoS2/Cu和Cu/MoS2/MgO/Cu。通过对每个器件的表征测试和I-V曲线测量，发现在在Cu/MgO/Cu器件上添加MoS2插入层后，其阻性开关特性会发生显著变化。分析结果表明，插入的MoS2层不会改变器件的主要传输机制（空间电荷受限导电），但会影响界面势垛的调制功能，且该效果与MoS2插入位置有关。在Cu/MgO/Cu、Cu/MgO/MoS2/Cu和Cu/MoS2/MgO/Cu三个器件中，Cu/MgO/MoS2/Cu器件表现出更大的开关比（约103）和较低的复位电压（约0.21 V），这可归因于MgO与MoS2之间界面势垱的调制。此外，当MoS2层位于底电极Cu与MgO之间时，器件的漏电流显著降低。因此，从实际应用的角度看，Cu/MoS2/MgO/Cu器件具有最高的商业价值。最后，根据XPS和XRD结果，我们为这三个器件建立了导电丝 filament 模型，并分析了导致这三个器件具有不同阻性开关特性的原因。
引用
@article{arxiv.2504.02384,
title = {Resistive switching characteristics of Cu/MgO/MoS2/Cu structure},
author = {He Xiaolong and Chen Peng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.02384},
year = {2025}
}
备注
The paper contains 13 pages and 8 figures