单层 MoS2 中晶界介导的门电压可调忆阻现象
介观与纳米尺度物理
2015-04-08 v1 材料科学
摘要
高速计算的持续进步依赖于材料合成与器件架构的突破。通过引入忆阻器（一种内部电阻取决于外部偏置电压历史的双端器件），可以显著增强逻辑和存储性能。基于金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）结构（如 TiO2 绝缘氧化物）的最先进忆阻器，受限于对细丝形成缺乏控制以及对外部开关电压缺乏调控。在此，我们报道了一类基于单层 MoS2 器件中晶界（GBs）的忆阻器。具体而言，源自接触点的晶界电阻可以容易且重复地进行调制，开关比高达 1000，并表现出动态负微分电阻（NDR）。此外，MoS2 的原子级薄层特性使得能够在场效应几何结构中通过第三个栅极端子调节设定电压，从而提供了其他已知忆阻器件中未观察到的新功能。
引用
@article{arxiv.1504.01416,
title = {Gate-tunable Memristive Phenonmena Mediated by Grain Boundaries in Single Layer MoS2},
author = {V. K. Sangwan and D. Jariwala and I. S. Kim and K. -S. Chen and T. J. Marks and L. J. Lauhon and M. C. Hersam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.01416},
year = {2015}
}