通过局域氦离子束辐照制备的神经形态 MoS2 忆阻晶体管
材料科学
2018-11-26 v1
摘要
二维层状半导体近来已成为下一代低功耗非易失性存储器的有吸引力的构建单元。然而，从这些新材料可控地亚微米制备双极阻变电路元件仍具挑战。在此我们报道了利用聚焦氦离子束从单层单晶二硫化钼（MoS2）实现横向介电层上忆阻晶体管的可扩展实验制备。利用氦离子显微镜（HIM）探针的定点辐照可在 MoS2 晶格中制造带电缺陷。这些局域播种缺陷在施加电场中的可逆漂移调制了半导体沟道的电阻，从而在纳米尺度上实现了多样的忆阻功能。我们发现该器件能在高达 2.9 V/s 的扫描频率下、以相对较低的漏源偏压可靠地保持数百次开关循环中的电阻比与置位偏压。我们还展示了具有敏锐习惯化的长时程增强与抑制，有望应用于未来的神经形态架构。该工作推进了忆阻器件的微缩进程，且不牺牲功耗或突触仿真适用性等关键性能参数。
引用
@article{arxiv.1811.09545,
title = {Neuromorphic MoS2 memtransistors fabricated by localised helium ion beam irradiation},
author = {Jakub Jadwiszczak and Darragh Keane and Pierce Maguire and Conor P. Cullen and Yangbo Zhou and Hua-Ding Song and Clive Downing and Daniel S. Fox and Niall McEvoy and Rui Zhu and Jun Xu and Georg S. Duesberg and Zhi-Min Liao and John J. Boland and Hongzhou Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.09545},
year = {2018}
}
备注
37 pages, 5 main figures, 14 supplementary figures