单层及少层 MoS2 纳米机械谐振器的大规模阵列
介观与纳米尺度物理
2016-07-15 v1
摘要
我们报道了悬浮二硫化钼（MoS2）原子层的大规模阵列制备，将其作为二维（2D）MoS2 纳米机械谐振器。我们采用水辅助剥离工艺，将化学气相沉积（CVD）生长的 MoS2 原子层从施主衬底上释放，随后通过全干法转移至微沟槽阵列上。由此制得的大规模悬浮单层及少层 MoS2 鼓膜谐振器阵列（直径 0.5 至 2 微米）在甚高频（VHF）频段（高达约 120 MHz）展现出基频谐振（f_0），并具有高达 f_0*Q ~ 3*10^10 Hz 的优异品质因数。利用拉伸圆形薄膜模型，我们估算出这些器件中通常存在约 15 mN/m 的低预张力水平。与以往方法相比，我们的转移工艺具有高产率和高均匀性，且液体和化学试剂暴露极少（仅涉及去离子水），从而获得了高质量的 MoS2 晶体以及卓越的器件性能和均一性；并且我们的工艺可轻松应用于其他二维材料。
引用
@article{arxiv.1607.03951,
title = {Large-Scale Arrays of Single- and Few-Layer MoS2 Nanomechanical Resonators},
author = {Hao Jia and Rui Yang and Ariana E. Nguyen and Sahar N. Alvillar and Thomas Empante and Ludwig Bartels and Philip X. -L. Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.03951},
year = {2016}
}
备注
14 pages, 6 figures