利用微机电系统将单层MoS$_2$拉伸至1.3%应变
材料科学
2018-06-26 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了一种改进的转移技术，用于将原子级薄材料集成到微机电系统（MEMS）上，以研究应变物理并制造基于应变的器件。我们的方法能容忍MEMS的非平面结构和脆性，同时仍能提供 flakes 的精确定位和无裂纹转移。此外，我们的方法利用转移聚合物将二维晶体锚定到MEMS上，这减少了制备时间，提高了良率，并使我们能够利用二维晶体与聚合物之间的强机械耦合来拉伸原子级薄系统。我们首次利用MEMS器件成功拉伸了二硫化钼（MoS）的单原子层，并实现了大于1.3%的应变，这标志着将二维材料与MEMS结合的一个重要里程碑。我们利用已建立的MoS拉曼和光致发光谱的应变响应来推断晶体中的应变，并提供了一致性检验。我们发现实验与文献之间有良好的可比性。
引用
@article{arxiv.1803.02787,
title = {Monolayer MoS$_2$ Strained to 1.3\% with a Microelectromechanical System},
author = {Jason W. Christopher and Mounika Vutukuru and David Lloyd and J. Scott Bunch and Bennett B. Goldberg and David J. Bishop and Anna K. Swan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.02787},
year = {2018}
}
备注
23 pages (includes supplementary), 7 figures, 6 tables