MoS2 单层中周期性巨幅非均匀应变的工程化制备
应用物理
2020-02-21 v1 材料科学
摘要
在二维晶体中实现有序应变场在许多方面都是引人入胜的前景，包括引入新颖输运机制与实现增强的器件性能。在本工作中，我们证明了使原子级薄二硫化钼（MoS2）的微区承受具有所需有序性的巨幅应变的可能性。机械变形的 MoS2 膜可通过体块薄片的质子辐照获得，导致形成含受压氢的单层穹丘。通过沉积聚合物掩模与电子束光刻对薄片进行预图案化，我们表明不仅可控制穹丘的尺寸与位置，还可创建机械约束。原子力显微镜测量揭示该约束显著改变穹丘形貌，否则其服从普适标度律。经辐照与图案化工艺的优化，创建了前所未有的大应变梯度周期性构型——由数值模拟估算——其最高应变接近断裂临界值（> 10 %）。如此高应变的产生由拉曼实验证实。此处提出的方法代表了面向二维晶体应变工程的重要一步。
引用
@article{arxiv.2002.08778,
title = {Engineered creation of periodic giant, non-uniform strains in MoS2 monolayers},
author = {Elena Blundo and Cinzia Di Giorgio and Giorgio Pettinari and Tanju Yildirim and Marco Felici and Yuerui Lu and Fabrizio Bobba and Antonio Polimeni},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.08778},
year = {2020}
}